2006/02/14 来源：电子系统设计

飞思卡尔半导体发表第七代高电压(HV7)射频LDMOS技术，此项技术可以满足WiMAX基站在3.5GHz频带中运作时所需的射频功率放大器效能。飞思卡尔同时提供射频LDMOS及砷化镓PHEMT这两种技术的功率晶体管，据称其LDMOS的效能可达3.8GHz，而砷化镓PHEMT的效能更高达6GHz。

飞思卡尔射频产品部门的副总裁暨总经理Gavin P. Woods表示：“由于飞思卡尔在第七代高电压射频LDMOS技术上的最新进展，我们已经在未来的WiMAX及其它高频市场中抢得先机，飞思卡尔原本研发的高电压砷化镓技术，不但仍是市场上同质产品中效率最佳者，同时也将基础设备的运作频率推上6GHz。”

WiMAX系统使用64相位差振幅调变(quadrature amplitude modulation，QAM)正交分频多工(OFDM)信号。对于功率放大器的设计人员而言，QAM OFDM信号相当具有挑战性。而对于延迟来说，无论是有屏蔽需求的光谱形式、还是有EVM(Error Vector Magnitude)需求的相位差形式，射频功率晶体管的线性特征都十分重要。之前，矽晶的LDMOS技术无法在3.5GHz这样的高频下提供可靠的射频功率性能。象砷化镓PHEMT这类的复合式半导体元件将会是设计人员新的选择。飞思卡尔的进阶3.5GHz第七代高电压LDMOS元件，能够提供WiMAX系统所需的效率、线性及EVM效能，并让设计人员可以在矽晶式LDMOS元件及复合式半导体元件间取舍。

首批3.5GHz LDMOS元件的样品现已备齐。MRF7S38075H是一组75W的P1dB射频晶体管，不但足以承担42dBm (16W)的平均功率，同时也可满足WiMAX在3.5GHz频带运作时的性能需求。