2005/02/15 【日经BP社报道】（记者：木村 雅秀）

      一项可在0.44V极低电压下正常工作的SRAM技术，由NEC和NEC电子共同开发成功，并在此前举行的"2005年国际固体电路会议（ISSCC 2005）"上做了技术报告。不是常见的6晶体管结构，而是通过采用7晶体管结构而实现的。

　　一般而言，低电压SRAM大多将nMOS的阀值电压设置得比较高，以便扩大读取容许度，再通过追加电路，扩大写入容许度。而此次通过设置较低的nMOS阀值电压，在扩大写入容许度的同时还提高了工作速度。在此基础上，在6晶体管结构的SRAM单元上追加了1个nMOS，通过切断环相电路，就能大幅扩大读取容许度。不过，由于晶体管增加了1个，因此如不采取措施，单元面积就会增大13%。于是，就把单元布局设计成了"L"形，再通过与读取电路结合配置，就将面积的增加比例控制到了9%。SRAM的访问时间方面，在1V下工作时为1.2ns，在0.5V下工作时为20ns。即使在0.44V条件下基本上仍能正常工作。采用90nm工艺生产。一般而言，90nm工艺SRAM的工作电压，普遍认为其最低极限为0.8～0.7V。据悉，今后附着工艺技术的提高，最先碰到低电压课题的就是SRAM，而这次的技术可能是不可缺少的。

7晶体管结构的新型SRAM单元

0.44V条件下基本上仍可正常工作